四川1家售电公司申请退市

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传统的多孔硅-银纳米枝晶SERS活性基底制备通常需要首先分别制备多孔硅衬底及银纳米枝晶，公司然后通过浸镀等方法合成复合基底。【图文导读】图1.多孔硅-银纳米枝晶复合结构单步电化学合成示意图图2.多孔硅-银纳米枝晶复合结构扫描电镜图采用不同浓度的硝酸银溶液（（a,b）0.02g，退市（c,d）0.03g,(e,f)0.04g,(g,h)0.05g硝酸银晶体溶于8ml水）获得的复合结构，退市其中电解液配比（HF:DMF:AgNO3=16:9:8），腐蚀时间5分钟，电流密度40mAcm−2。

川售电申请图5.复合结构SERS性能的重复性和稳定性测试（a）三组样品SERS性能重复性测试（10-6MR6G）。公司提出使用单步制备法实现多孔硅-金属纳米枝晶复合结构。退市（b）不同样品的拉曼扫描图。

整个制备过程耗时冗长、川售电申请步骤繁琐。【小结】该研究提出了一种单步快速合成多孔硅-银纳米枝晶的复合结构的新方法，公司所制备的多孔硅复合结构具有显著SERS响应，公司优良的重复性和长期稳定性。

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【引言】多孔硅是一种具有纳米多孔结构的材料，川售电申请是硅的电化学反应极为重要的产物之一，它的许多优良特性在诸多领域都有广泛的应用前景。公司2013年获得何梁何利科学技术奖。

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